型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: UDFN P-CH 20V 4A45025+￥1.491825+￥1.381350+￥1.3039100+￥1.2708500+￥1.24872500+￥1.22105000+￥1.210010000+￥1.1934 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6Pin UDFN Embossed T/R164110+￥1.128650+￥1.0701100+￥1.0283300+￥1.0032500+￥0.97811000+￥0.95302500+￥0.91545000+￥0.9071 -
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品类: MOS管描述: FDMA2002NZ 系列 30 V 123 mOhm 双 N 沟道 PowerTrench Mosfet MicroFET 2x269655+￥2.667625+￥2.470050+￥2.3317100+￥2.2724500+￥2.23292500+￥2.18355000+￥2.163710000+￥2.1341 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA507PZ. 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 0.019Ω, -7.8A, MICROFET-6879010+￥7.2456100+￥6.8833500+￥6.64181000+￥6.62972000+￥6.58145000+￥6.52107500+￥6.472710000+￥6.4486 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA410NZ 场效应管, MOSFET, N沟道, 9.5A, 20V85655+￥1.732125+￥1.603850+￥1.5139100+￥1.4755500+￥1.44982500+￥1.41775000+￥1.404910000+￥1.3856 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA1024NZ 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5 A, 20 V, 0.037 ohm, 4.5 V, 700 mV80995+￥3.298125+￥3.053850+￥2.8827100+￥2.8095500+￥2.76062500+￥2.69955000+￥2.675110000+￥2.6384 -
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品类: MOS管描述: 4.1A,-20V,P沟道MOSFET27885+￥1.871125+￥1.732550+￥1.6355100+￥1.5939500+￥1.56622500+￥1.53155000+￥1.517710000+￥1.4969 -
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品类: MOS管描述: FDMA1025P 系列 20 V 155 mOhm 双 P 沟道 PowerTrench Mosfet MicroFET 2x247595+￥2.658225+￥2.461350+￥2.3234100+￥2.2644500+￥2.22502500+￥2.17575000+￥2.156110000+￥2.1265 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。14295+￥2.133025+￥1.975050+￥1.8644100+￥1.8170500+￥1.78542500+￥1.74595000+￥1.730110000+￥1.7064 -
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品类: MOS管描述: P 通道 MOSFET，带肖特基二极管，ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor185720+￥0.305150+￥0.2825100+￥0.2712300+￥0.2622500+￥0.25541000+￥0.25095000+￥0.246310000+￥0.2418 -
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品类: MOS管描述: 4.3A,-8V功率MOSFET30425+￥1.965625+￥1.820050+￥1.7181100+￥1.6744500+￥1.64532500+￥1.60895000+￥1.594310000+￥1.5725 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA291P 晶体管, MOSFET, P沟道, 6.6 A, -20 V, 0.036 ohm, -700 mV, -700 mV605710+￥8.7084100+￥8.2730500+￥7.98271000+￥7.96822000+￥7.91015000+￥7.83767500+￥7.779510000+￥7.7505 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6Pin MicroFET T/R90005+￥3.155025+￥2.921350+￥2.7577100+￥2.6876500+￥2.64082500+￥2.58245000+￥2.559010000+￥2.5240 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。512010+￥6.0696100+￥5.7661500+￥5.56381000+￥5.55372000+￥5.51325000+￥5.46267500+￥5.422210000+￥5.4019 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。93945+￥4.506325+￥4.172550+￥3.9388100+￥3.8387500+￥3.77192500+￥3.68855000+￥3.655110000+￥3.6050 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA1028NZ 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.7 A, 20 V, 68 mohm, 1 V, 1 V43625+￥3.007825+￥2.785050+￥2.6290100+￥2.5622500+￥2.51762500+￥2.46195000+￥2.439710000+￥2.4062 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA1027PT 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3 A, -20 V, 0.09 ohm, -4.5 V, -700 mV48935+￥4.927525+￥4.562550+￥4.3070100+￥4.1975500+￥4.12452500+￥4.03335000+￥3.996810000+￥3.9420 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDFMA3N109 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 30 V, 0.075 ohm, 1 V, 1 V36545+￥2.262625+￥2.095050+￥1.9777100+￥1.9274500+￥1.89392500+￥1.85205000+￥1.835210000+￥1.8101 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA7632 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 30 V, 0.014 ohm, 10 V, 2.1 V5638 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。8683 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA1023PZ 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.7 A, -20 V, 60 mohm, -4.5 V, -700 mV4369 -
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品类: MOS管描述: 集成的P沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管-20 V， -3.0 A， 120米？ Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode -20 V, -3.0 A, 120 m1050
